株式会社エス・エフ・シー SFC Co.,Ltd

エス・エフ・シーでは、IBAD(イオンビームアシスト蒸着・Ion Beam Assisted Deposition)の製膜(成膜)方法を生かした、受託製膜(成膜)・表面改質(コーティング)作業、薄膜および製膜技術の開発を行っています。 基材に目的に合った被膜をつけたい、基材の表面処理を施したい、製膜(成膜)をアウトソーシングしたいなど、ご要望をお聞かせ下さい。

IBADは、高密着性・高密度な製膜(成膜)可能な、蒸着方法(PVD)です。

製膜イメージ図

IBADは、蒸着と同時にイオンビーム照射する製膜(成膜)方法です。このイオンビームが基板の活性化、不純物の除去を促すため、密着性の高い製膜(成膜)が可能です。（イオンビーム中のイオンをアシストイオンと呼びます）
エス・エフ・シーでは、長年の経験、データ分析により、IBADの特長を最大限に生かした装置設定が可能なため、非常に密着性の高い製膜(成膜)が可能です。 密着性が高いため、基材は金属に限らず、ゴム・樹脂・布・ガラス・プラスチック・セラミックスなど、様々な種類の材料を用いることができます。剥がれ易い基材への製膜(成膜)は、是非ご相談下さい。

IBADは、アシストイオンにより基板活性化するため、基板加熱せずに製膜(成膜)することが可能です。その他の製膜(成膜)方法では、製膜(成膜)できない融点が低い材料(ゴム・プラスチック・樹脂など)にも製膜(成膜)可能です。
エス・エフ・シーでは、アシストイオンに関するいくつかのパラメータ制御により、基材を傷めない製膜(成膜)が可能です。 熱に弱い基材への製膜(成膜)は、是非ご相談下さい。

IBADは、アシストイオンが堆積中の膜を叩いて前方スパッタが生じさせ、空隙(ボイド)の非常に少ない、高密度な製膜(成膜)が可能です。しかし、アシストイオンが強すぎるとエッチング効果が大きくなり、結果として希望した膜厚・性質が得られません。 エス・エフ・シーでは、この前方スパッタ効果とエッチング効果を最適化する技術を持っており、基板材料・蒸着材料、膜厚などのスペックに合わせた製膜(成膜)が可能です。またイオンが電界に沿って基板に向かう性質を生かし、堆積される蒸着材料原子の回り込み率を高めることも可能です。 薄くて丈夫な製膜(成膜)をご希望でしたら、是非ご相談下さい。

IBADでは、蒸着材料とアシストイオンの組み合わせにより、様々な化合物の製膜(成膜)も可能です。
エス・エフ・シーでは、お客様のご要望に合わせて、蒸着材料・アシストイオンを選び出す為、金属膜に限らず、金属酸化膜(SiO・TiO 等)、金属窒化膜(SiN等)、その他化合物の製膜(成膜)が可能です。
耐摩耗性・滑り性・導電性など特殊な性質を持つ薄膜製膜(成膜)をご希望でしたら、是非ご相談下さい。

IBAD装置外観写真

製膜例：絹地に金(Au)を製膜(成膜)した加工例

下地(絹)を傷めることなく、金属(金)を製膜(成膜)することが可能です。 右の拡大図をみると絹繊維の一本一本に製膜(成膜)されているのが分かります。

製膜例：シリコーンゴムに銀(Ag)を製膜(成膜)した加工例

医療用カテーテル(シリコーンゴム)に抗菌作用・癒着防止目的で、銀を製膜(成膜)したものです。医療用途で用いられるほど高品質な製膜(成膜)が可能です。

製膜例：石英ガラスにニッケル(Ni)を製膜(成膜)した加工例

左の写真は蒸着のみのもの、右の写真はイオンアシストを加えたもので、それぞれテープ剥離試験を行った結果です。イオンアシストの効果により、高密着な製膜が可能になります。